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MEMS硅压阻汽车压力传感器特性详解

时间:2018-07-24 09:20  来源:www.vsncg.com  作者:亚盛国际  

  (micro electro mechanical systems)技术制造的力敏元件结合智能集成化信号调理技术设计了适合批量制造的小型化坚固封装的通用。通过智能调理技术将的零位和满度进行温度校准实现了宽温度工作范围内的高精度测量,并且适合于批量制造。

  当今汽车性能的不断提升得益于汽车电子的不断发展。其中具有代表性的核心元件是

  将各种物理信号转化为电信号从而将汽车行驶的具体状态传送给电子控制单元来实现汽车控制。作为汽车电子的关键部件在电子技术蓬勃发展的今天倍受瞩目。美国汽车

  为了将压力信号转化为电信号采用了应变原理,将惠斯顿检测亚盛国际电桥通过MEMS技术制作在单晶硅片上。使得单晶硅片成为一个集应力敏感与力电转换为一体的敏感元件。如图1所示。

  当硅芯片受到外界的应力作用时,硅应变电桥的桥臂电阻将产生变化,一般都为惠斯顿电桥检测模式。如图2所示。

  式中:Vo为输出电压,mV;S为灵敏度,mV/V/Pa;P为外力或应力,Pa;VB为桥压,VOS为零位输出,mV.

  单一的硅片芯片只能作为一个检测单元的一部分无法独立完成信号的转换,所以必须有特定的封装使其具备压力检测的能力。将图2中的硅片芯片与PYREX玻璃环静电封接在一起。

  PYREX玻璃环作为硅芯片的力学固定支撑弹性敏感元件并且使硅芯片与封装绝缘,而PYREX玻璃环的孔恰好成为了

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